5月4日，深耕國內(nèi)射頻前端國產(chǎn)替代的慧智微(688512.SH)開啟網(wǎng)上公開申購。據(jù)了解，慧智微專注于射頻前端芯片及集成化模組的設(shè)計研發(fā)，公司以射頻功率放大器PA芯片為核心，已經(jīng)衍生出低噪聲放大器(LNA)、射頻開關(guān)(Switch)、集成無源器件濾波器(IPD Filter)、控制及系統(tǒng)級封裝等方面的設(shè)計技術(shù)，具有高集成射頻模組研發(fā)能力，下游廣泛應(yīng)用于智能手機、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

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公司所處的射頻前端芯片行業(yè)空間廣闊、國產(chǎn)化程度低，公司產(chǎn)品覆蓋的通信頻段包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz6GHz的5G新頻段等，可為客戶提供無線通信射頻前端發(fā)射模組芯片、接收模組芯片等成熟的解決方案。

作為一家以技術(shù)驅(qū)動為核心競爭力科創(chuàng)企業(yè)，公司積極加大研發(fā)投入，2020年至2022年，公司累計研發(fā)投入48,905.65萬元，占營業(yè)收入的比例為45.37%。憑借突出的技術(shù)研發(fā)能力，2020年，公司在國產(chǎn)廠商中率先大規(guī)模量產(chǎn)5G L-PAMiF產(chǎn)品，并陸續(xù)應(yīng)用于OPPO、三星、vivo等品牌客戶機型。目前，大基金二期持有公司6.54%股份。

自研可重構(gòu)射頻前端平臺“絕緣硅+砷化鎵”鑄造競爭壁壘

在射頻功率放大器領(lǐng)域，傳統(tǒng)射頻PA采用全砷化鎵功率放大器結(jié)合體硅控制器的寬帶設(shè)計架構(gòu)，該設(shè)計架構(gòu)已經(jīng)被國際射頻前端龍頭企業(yè)所壟斷。如果新進企業(yè)采用固有的技術(shù)跟隨和產(chǎn)品模仿策略，則需要多次設(shè)計迭代找到最優(yōu)設(shè)計方案，同時全球產(chǎn)能供應(yīng)有限，成本較高，嚴重依賴規(guī)模效應(yīng)，為國產(chǎn)廠商設(shè)置了較大的專利門檻、規(guī)模門檻和成本門檻。

公司研發(fā)了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的AgiPAM可重構(gòu)射頻前端平臺，采用“絕緣硅(SOI)+砷化鎵(GaAs)”的混合架構(gòu)，創(chuàng)新性的將模擬預(yù)失真(APD)應(yīng)用于多頻段、多模式和多載波的4G/5G系統(tǒng)中，同時提出并設(shè)計了可重構(gòu)射頻功放的記憶效應(yīng)消除電路，突破國際巨頭的專利壁壘。

公司“多頻多模移動終端可重構(gòu)射頻芯片關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目獲得了2021年通信學(xué)會科學(xué)技術(shù)一等獎。據(jù)了解，獲獎產(chǎn)品相對于傳統(tǒng)方案芯片產(chǎn)品，在移動終端射頻芯片關(guān)鍵頻段的功耗降低了15%、線性度改善了4dBc、負壓電路啟動時間減少50%，大幅提升射頻前端的集成度，并在射頻前端中成功實現(xiàn)全倒裝封裝，進而實現(xiàn)產(chǎn)品性能提升、成本降低。

深度布局5G射頻前端產(chǎn)品線，引領(lǐng)5G L-PAMiF產(chǎn)品演進

在5G市場中，由于新頻段(3GHz6GHz)的高頻率、大帶寬、高功率特征，為射頻功率放大器的設(shè)計帶來較大挑戰(zhàn)，且對射頻前端器件的集成度要求越來越高。慧智微基于底層技術(shù)架構(gòu)創(chuàng)新，于2020年推出5G新頻段L-PAMiF全集成發(fā)射模組產(chǎn)品進入頭部客戶供應(yīng)體系，已在OPPO、三星等品牌機型上大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用，產(chǎn)品受到市場的認可度較高，報告期內(nèi)累計出貨已超千萬顆。

公司的5G新頻段L-PAMiF在國產(chǎn)廠商持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，該產(chǎn)品在2020年中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會中榮獲第十五屆“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品，系該獎項設(shè)立以來的首個獲獎的射頻前端產(chǎn)品。

公司持續(xù)跟進客戶需求和技術(shù)升級趨勢，為全球客戶提供完整的5G新頻段射頻前端解決方案。目前，公司在售的產(chǎn)品型號眾多，產(chǎn)品系列覆蓋的通信頻段需求包括2G、3G、4G、3GHz以下的5G重耕頻段、3GHz~6GHz的5G新頻段等，后續(xù)推出的多款產(chǎn)品均榮獲大獎。如可支持n77/n78頻段的1T1R/1T2R L-PAMiF產(chǎn)品榮獲第十六屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎、可重構(gòu)多頻多模功率放大器模組(MMMB PAM)榮獲第十七屆“中國芯”優(yōu)秀市場表現(xiàn)產(chǎn)品獎項。

憑借高集成度、高性價比、性能可靠穩(wěn)定的特點，以及5G新頻段產(chǎn)品的口碑和技術(shù)沉淀，公司贏得了頭部客戶的認可，形成了良好的品牌效應(yīng)。目前，公司的射頻前端模組已經(jīng)在三星全球暢銷系列A225G手機、OPPO、vivo、榮耀等智能手機機型中實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，并進入聞泰科技（600745）、華勤通訊、龍旗科技等一線移動終端設(shè)備ODM廠商。

此外，公司積極布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，在2G/3G退網(wǎng)的趨勢下大力拓展LTE Cat.1蜂窩連接領(lǐng)域的市場機會。公司已經(jīng)與頭部的Cat.1通信模塊公司達成戰(zhàn)略合作，4G發(fā)射模組進入移遠通信（603236）、廣和通（300638）、日海智能等頭部無線通信模組廠商，廣泛應(yīng)用于資產(chǎn)追蹤、車載運輸、數(shù)字標牌、無線支付、智慧能源、智能可穿戴設(shè)備等眾多物聯(lián)網(wǎng)場景。

高集成化的技術(shù)儲備充分L-PAMiD產(chǎn)品有望繼續(xù)領(lǐng)先

公司以研發(fā)創(chuàng)新為核心，截至2022年末公司研發(fā)團隊共計212人，核心技術(shù)人員平均從業(yè)年限超過15年，具備從砷化鎵器件、絕緣硅器件、基板，到集成化模組等完整的研發(fā)設(shè)計能力，可同時支撐超過10個中大型研發(fā)項目。

公司沉淀了大量的技術(shù)積累，形成了完善的產(chǎn)品矩陣。例如，公司的“多功能模塊的低互擾高集成技術(shù)”可以實現(xiàn)將多個絕緣硅材料的晶圓進行單芯片集成，降低了5G新頻段射頻前端空間布局的難度，有利于實現(xiàn)高集成度；公司采用全倒裝封裝技術(shù)，提高了器件之間的排布密度,實現(xiàn)射頻前端模組的小型化，提高了高集成度、高功率產(chǎn)品的散熱能力。此外，公司在可重構(gòu)射頻前端架構(gòu)中積累了處理大帶寬、大電流、線性度不足等技術(shù)問題的相關(guān)技術(shù)和經(jīng)驗。

慧智微基于自主創(chuàng)新的技術(shù)架構(gòu)，優(yōu)化芯片面積和性能，具有5G L-PAMiF高集成模組的成功基礎(chǔ)，以及在手機客戶端領(lǐng)先的技術(shù)認知，慧智微有望實現(xiàn)L-PAMiD的產(chǎn)品在國內(nèi)行業(yè)內(nèi)繼續(xù)領(lǐng)先。

截至報告期末，公司已獲取境內(nèi)發(fā)明專利66項，境外發(fā)明專利25項。一方面，公司在射頻前端領(lǐng)域構(gòu)筑了完整的專利池，規(guī)避采取跟隨策略帶來的專利風(fēng)險；另一方面，高集成度相關(guān)的技術(shù)積累將助力公司持續(xù)發(fā)展。二者共同支撐公司走向國際市場、參與全球化競爭。

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